在真空室中將離子源產(chǎn)生的離子引出，并在電場(chǎng)中加速，形成幾十電子伏到幾十千電子伏能量的離子束。在離子束濺射沉積、離子束直接沉積或電子束蒸發(fā)沉積薄膜的同時(shí)，用上述離子束進(jìn)行轟擊（也可先鍍膜后轟擊）。利用沉積原子和轟擊離子之間一系列的物理化學(xué)作用，可在常溫下合成各種優(yōu)質(zhì)薄膜。其關(guān)鍵技術(shù)是離子源、靶室和工藝參數(shù)的控制。

　　離子源是產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵部件，它的種類與質(zhì)量決定著制備膜層的性能和質(zhì)量。離子源的種類不下二、三十種，用于離子束材料表面改性的也有十多種。

　　離子切割的主要加工特點(diǎn)如下：

　　1.離子束轟擊工件時(shí)，其束流密度和能量可以準(zhǔn)確控制；

　　2.離子束加工在真空中進(jìn)行，污染少，特別適合加工高純度的半導(dǎo)體材料及易氧化的金屬材料；

　　3.離子束加工的宏觀壓力小，因此加工應(yīng)力小，熱變形小，加工表面質(zhì)量高，適合于各種材料和低剛度零件的加工。