對(duì)靶材用量較大的行業(yè)主要有半導(dǎo)體集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)、光學(xué)器件等。其中，高純度濺射靶材主要用于對(duì)材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域，如半導(dǎo)體、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)等。

　　在所有應(yīng)用中，半導(dǎo)體對(duì)濺射靶材的技術(shù)要求和純度高，價(jià)格也昂貴，這方面的要求明顯高于平面顯示器、太陽(yáng)能電池等其他應(yīng)用領(lǐng)域。半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，若濺射靶材的雜質(zhì)含量過(guò)高，形成的薄膜就無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，將嚴(yán)重影響薄膜的性能。芯片制造對(duì)濺射靶材金屬純度的要求高，通常要達(dá)到99.9995%以上，而平板顯示器、太陽(yáng)能電池分別要求達(dá)到99.999%、99.995%以上即可。

　　除了純度之外，芯片對(duì)濺射靶材內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等也設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)，并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。

　　超高純度金屬及濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。